Typ błysku NAND
SLC (Single Level Cell)
Sekwencyjna szybkość zapisu (ATTO)
530 MB/s
Sekwencyjna prędkość zapisu (CDM)
450 MB/s
Cechy zabiezpieczeń
Odporny na uderzenia, Odporny na wstrząsy
MTBF (Średni okres międzyawaryjny)
1500000 h
Szybkość przesyłania danych
6 Gbit/s